碳化硅襯底檢測機構，碳化硅單晶片元素含量測定

碳化硅單晶襯底材料（SiC襯底）是一種屬于寬禁帶半導體的晶體材料，具備耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優勢，為制備大功率電力電子器件和微波射頻器件提供基礎性材料。

碳化硅襯底檢測項目

外觀質量、厚度檢測、化學性能、導熱系數、晶向檢測、全氧含量檢測、電阻率、熱膨脹系數、耐磨性能、耐高壓、耐高溫、耐火性能、耐熱震性能、SEM表征分析、第三方檢測、現場檢測等。（具體以客戶實際情況為準）

碳化硅襯底檢測范圍

碳化硅單晶襯底材料、碳化硅襯底、導電型碳化硅襯底、半絕緣型碳化硅襯底、碳化硅單晶拋光片等。

碳化硅襯底檢測標準（部分）

1、 T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅襯底及外延層缺陷術語

2、 T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅襯底及外延層缺陷圖譜

3、 T/CASAS 025-2023 8英寸碳化硅襯底片基準標記及尺寸

4、 T/CASAS 014-2021 碳化硅襯底基平面彎曲的測定 高分辨X射線衍射法

5、 BS IEC 63229:2021 半導體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類

6、 IEC 63229:2021 半導體器件.碳化硅襯底上氮化鎵外延膜缺陷的分類

7、 SJ/T 11864-2022 半絕緣型碳化硅單晶襯底

什么是第三方檢測報告？

第三方檢測報告是由獨立的第三方檢測機構或實驗室基于特定的標準、規范或要求進行測試和評估，所提供的有關評估和測試結果的正式文件。

這些機構與被測試實體（如生產商、供應商或組織等）沒有利益關系，有相對的獨立性和公正性，有資格向社會出公正數據(檢驗報告)，可以提供客觀、公正的評估。旨在確保產品、材料或系統的質量、安全性、合規性等方面的要求得到滿足。

以上是有關碳化硅襯底檢測的相關介紹，上海復達檢測機構有CMA、CNAS等資質，專注分析、檢測、測試、鑒定、研發五大服務領域。服務面向全國，上海、北京、天津、沈陽、濟南、南京、蘇州、杭州、合肥、鄭州、武漢、長沙、廣州、深圳、成都、西安等地區均設有分部。