硅外延片檢測機構

硅外延片在硅單晶襯底上沿其原來的晶向再生長一層硅單晶薄膜的半導體硅材料。

硅外延片檢測周期：7-10個工作日(參考周期、可加急)

硅外延片檢測標準（部分）

1、 GB/T 14139-2009 硅外延片

2、 GB/T 14139-2019 硅外延片

3、 GB/T 35310-2017 200mm硅外延片

4、 SJ/Z 1610-1980 硅外延片缺陷圖集

5、 SJ 1550-1979 硅外延片檢測方法

6、 T/ZZB 2833-2022 高壓MOSFET用200 mm硅外延片

7、 SJ 20514-1995 微波功率晶體管用硅外延片規范

8、 T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷測試方法

硅外延片檢測范圍

碳化硅外延片、8英寸薄層P型硅外延片、高壓大功率FRD用硅外延片、P型硅外延片、N型硅外延片、低功耗VDMOS器件用硅外延片、摻As薄層硅外延片、高壓大功率微波PIN器件用硅外延片、p/p硅外延片、增強吸雜硅外延片、薄層高阻硅外延、快速恢復二*管用硅外延片、瞬變電壓抑制二極管用硅外延片、CCD器件用硅外延片等。

硅外延片檢測項目

外觀質量、表面缺陷分析、背面邊緣異常黑斑原因分析、晶體缺陷、均勻性、縱向電阻率、翹曲度非接觸測試、電阻變化率、厚度變化、過渡區寬度檢測、電阻率、厚度及徑向厚度變化、晶體完整性、表面金屬元素分析、表面質量、常規檢測、第三方檢測、現場檢測等。（具體以客戶實際情況為準）

客戶為什么選擇上海復達檢測呢?

1、更短的檢測周期

2、更低的檢測費用

3、更完善的檢測方案

4、更優質的售后服務

上海復達檢測是法定第三方檢測機構，具有CMA、CNAS等資質，硅外延片檢測服務面向全國，包含上海、北京、天津、沈陽、濟南、南京、蘇州、杭州、寧波、合肥、鄭州、武漢、長沙、廣州、深圳、成都、西安等地區。